Pengaruh Oksidasi Setelah Deposisi Terhadap Sifat Film Tipis ZnO:Ga

  • Reza Faizal
  • Putut Marwoto
  • Sulhadi Sulhadi
  • Sugianto Sugianto Laboratorium Fisika Material, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang, Sekaran Gunungpati Semarang 50229, Indonesia

Abstract

Pengaruh oksidasi setelah deposisi terhadap sifat film tipis ZnO:Ga telah dipelajari. Film dideposisi menggunakan metode dc magnetron sputtering pada suhu 300oC selama 1 jam, kemudian dilakukan variasi oksidasi menggunakan gas oksigen purity 99,99% dengan tekanan 0 mTorr dan 50 mTorr pada suhu 300oC selama 20 menit. Berdasarkan hasil SEM, ukuran butir film menunjukkan perubahan menjadi lebih besar pada tekanan oksigen 50 mTorr dibandingkan pada tekanan oksigen 0 mTorr. UV-Vis spektrofotometer menunjukkan transmitansi film pada cahaya tampak meningkat seiring dengan meningkatnya tekanan oksigen mencapai sekitar ~83%. Celah pita energi yang dihasilkan film tipis ZnO:Ga pada tekanan oksigen 0 mTorr dan 50 mTorr masing-masing 3,32 eV dan 3,4 eV.

Downloads

Download data is not yet available.
Published
2017-08-22
How to Cite
FAIZAL, Reza et al. Pengaruh Oksidasi Setelah Deposisi Terhadap Sifat Film Tipis ZnO:Ga. Jurnal Matematika dan Sains, [S.l.], v. 22, n. 1, p. 1-4, aug. 2017. ISSN 2442-7349. Available at: <https://jms.fmipa.itb.ac.id/index.php/jms/article/view/736>. Date accessed: 23 july 2019.
Section
Article